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J-GLOBAL ID：200903094768128316

半導体装置及びその実装方法

Inventor：
小原 史朗

About 小原 史朗


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994119946
Publication number (International publication number)：1995326628
Application date： Jun. 01, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：
【要約】【目的】 熱をエミッタ電極より実装基板に直接逃がす構造で,バンプの位置合わせ等フリップチップ実装の場合に要求される微妙な調整を不要とする。【構成】 1)表面側にトランジスタが形成された半導体チップ12の表面に該トランジスタのエミッタに接続するエミッタ電極 7が形成され,該半導体チップ12に開けられた貫通孔 9を介して該トランジスタのベース及びコレクタに接続するベース電極10及びコレクタ電極11が該半導体チップ12の裏面に形成されている半導体装置,2)前記エミッタ電極 7がバンプを有して構成される,3)前記エミッタ電極 7の周囲が樹脂で埋め込まれている,4)前記1乃至3記載の半導体装置の前記エミッタ電極 7を実装基板上の電極に固着して電気的に接続する実装方法。
Claim (excerpt)：
表面側にトランジスタが形成された半導体チップ(12)の表面に該トランジスタのエミッタに接続するエミッタ電極(7) が形成され,該半導体チップ(12)に開けられた貫通孔(9) を介して該トランジスタのベース及びコレクタに接続するベース電極(10)及びコレクタ電極(11)が該半導体チップ(12)の裏面に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/321 ,  H01L 23/34
FI (2)：
H01L 29/72 ,  H01L 21/92 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • 特開平4-025031
  • 縦型構造トランジスタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-249400   Applicant：シャープ株式会社

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