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J-GLOBAL ID：200903094776783323
炭化ケイ素単結晶製造装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小橋 信淳 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992140143
Publication number (International publication number)：1993306199
Application date： Apr. 30, 1992
Publication date： Nov. 19, 1993
Summary：
【要約】【目的】 黒鉛ルツボを使用することなく、高品質の炭化ケイ素単結晶を昇華法によって製造する。【構成】 雰囲気ガスが下降流となって流れる成長装置10の内部に、結晶成長に先立って素焼結体33が装着された焼結体支持具32を配置する。焼結体33の上には原料粉末aを落下させる原料供給部20が設けられており、焼結体33の周囲にはヒータ31a〜31cが配置されている。ヒータ31aにより供給された粉末原料が焼結され、ヒータ31bによる加熱で焼結体33から発生した昇華ガスcは、ヒータ31cにより温度制御された単結晶支持具37に取り付けている種結晶を起点として炭化ケイ素単結晶dに成長する。昇華ガスcの発生に伴う焼結体33の消耗量は、供給された原料粉末aを焼結体33の上面で焼結体bとすることにより補われる。【効果】 黒鉛ルツボに起因する不純物混入,成長条件の変動等の問題が無く、高い自由度でサイズを変更することができ、品質特性に優れた炭化ケイ素単結晶が得られる。
Claim (excerpt)：
雰囲気ガスが下降流となって流れる成長装置と、該成長装置の内部に配置され、予め炭化ケイ素焼結体が装着される焼結体支持具と、前記炭化ケイ素焼結体の上に原料粉末を落下させる原料供給部と、前記炭化ケイ素焼結体の上に落下した原料粉末を焼結させるヒータと、前記炭化ケイ素焼結体の下面から昇華ガスを発生させるヒータと、前記炭化ケイ素焼結体の下方に配置され、結晶成長温度を制御するヒータと、前記昇華ガスから成長した単結晶を支持する単結晶支持具とを備え、昇華ガスの発生に伴って消耗する前記焼結体の消耗分を供給された前記原料粉末の焼結によって補うことを特徴とする炭化ケイ素単結晶製造装置。
IPC (2)：
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