SOI基板の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須田正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998091061
Publication number (International publication number)：1999288895
Application date： Apr. 03, 1998
Publication date： Oct. 19, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体層が酸化膜を介して半導体基板上に重ね合わされているSOI基板において、酸化膜の膜質及び半導体層と酸化膜との界面の特性を向上させる。【解決手段】第1半導体基板11の表面から水素イオンを注入してその内部にイオン注入領域11aを形成する。第2半導体基板12の表面に酸化膜13を形成する。第1半導体基板11を上記イオン注入面が酸化膜13に対向するように第2半導体基板に重ね合わせて密着させる。第1半導体基板を第2半導体基板に密着させたまま熱処理して第1半導体基板をイオン注入領域11aで第2半導体基板から分離して第2半導体基板の表面に半導体層11bを形成する。表面に半導体層11bを有する第2半導体基板を更に熱処理する。

Claim (excerpt)：

第1半導体基板(11)の表面から水素イオンを注入して前記第1半導体基板(11)内部にイオン注入領域(11a)を形成する工程と、第2半導体基板(12)の表面に酸化膜(13)を形成する工程と、前記第1半導体基板(11)を前記イオン注入面が前記酸化膜(13)に対向するように前記第2半導体基板(12)に重ね合わせて密着させる工程と、前記第1半導体基板(11)を第2半導体基板(12)に密着させたまま所定の温度で熱処理して前記第1半導体基板(11)を前記イオン注入した領域(11a)で前記第2半導体基板(12)から分離して前記第2半導体基板(12)の表面に半導体層(11b)を形成する工程と、表面に半導体層(11b)を有する前記第2半導体基板(12)を更に熱処理する工程とを含むSOI基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/265 , H01L 27/12

FI (2)：

H01L 21/265 Q , H01L 27/12 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体基板の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-041709 Applicant：キヤノン株式会社
半導体基体とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-264386 Applicant：キヤノン株式会社
薄い半導体材料フィルムの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-246594 Applicant：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク

Show all

Return to Previous Page