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J-GLOBAL ID：200903094795864121

半導体発光素子

Inventor： 大場 康夫 ,  波多野 吾紅
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994038160
Publication number (International publication number)：1995249821
Application date： Mar. 09, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【目的】 GaN系材料と格子整合しGaNよりも狭いバンドギャップを有する化合物半導体材料を実現し、ヘテロ接合形成により特に高輝度半導体レーザを実現する。【構成】 SiC基板41上に、n-GaNバッファ層48を介して、nクラッド層43,発光層44及びpクラッド層45からなるダブルヘテロ接合構造を形成した半導体レーザにおいて、クラッド層42,44としてGaNを用い、発光層43としてGaNのGaの一部をZnとGeで交互に置換したZnGeGaNを用いたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

II族原子A,IV族原子B,III 族原子C,及び窒素原子Nからなり、組成式A<SB>x</SB> B<SB>x</SB> C<SB>y</SB> N<SB>2x+y</SB>(0<x≦1,0≦y<1)にて表される化合物半導体を発光層としたことを特徴とする半導体発光素子。