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J-GLOBAL ID：200903094799183269

磁気抵抗効果素子と、それを用いた磁気記録再生装置

Inventor： 星屋 裕之 ,  鈴木 良夫 ,  濱川 佳弘
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996020904
Publication number (International publication number)：1997212829
Application date： Feb. 07, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】高信頼性の記録密度の高い磁気記録装置、および高い感度と良好な線形性を有する磁気抵抗効果型記録再生分離ヘッドを提供する。【解決手段】磁気抵抗効果多層膜20に横バイアス膜22と、反強磁性膜による交換結合バイアスを印加して、線形性と単磁区化をした磁気抵抗効果型ヘッドを搭載した磁気記録再生装置。

Claim (excerpt)：

三枚以上の強磁性膜を、非磁性導電膜を介して順次、かつ、直接に積層した多層膜であって、上記非磁性導電膜を介して隣接する上記強磁性膜の互いの磁化のなす角度によって電気抵抗が変化し、上記非磁性導電膜を介して隣接する上記強磁性膜の間には互いの磁化を反平行の方向に向けようとする反強磁性的な結合力が存在する磁気抵抗効果多層膜を用いた磁気抵抗効果素子において、検出しようとする磁界の方向に対して略平行な成分を有する静磁界バイアス印加手段と、上記磁気抵抗効果多層膜を構成する上記強磁性膜のうち、最上面もしくは最下面の強磁性膜に直接密着して、上記最上面もしくは上記最下面の強磁性膜に、上記検出しようとする磁界の方向に対して略垂直な方向に一方向異方性を誘起する一方向性バイアス膜とを有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/08

FI (3)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/08 Z