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J-GLOBAL ID：200903094805999195

半導体レーザ装置

Inventor： 小野 健一 ,  山下 光二
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991222914
Publication number (International publication number)：1993063297
Application date： Sep. 03, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 埋込みリッジ型半導体レーザ装置において、リッジ状エッチングによる上クラッド層厚のばらつきがあっても水平ビームの広がり角がばらつかないような半導体レーザ装置を得る。【構成】 上,下クラッド層(Al1-y Gay As)4,2のAl組成比を活性層3から離れるにつれ大きくなるように構成することにより、電流ブロック層5部分の等価屈折率n-ikを制御することを特徴としている。

Claim (excerpt)：

上クラッド層,活性層,下クラッド層を備えたAlx Ga1-x As系の埋込みリッジ型半導体レーザ装置において、前記上クラッド層と下クラッド層の組成を前記活性層から離れるにつれてAl組成比が大きくなるように構成したことを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-174178
  
• 特開平1-175285
  
• 特開昭61-090489