Pat

J-GLOBAL ID：200903094813605309

レジスト処理方法及びレジスト処理システム

Inventor： 飽本 正己
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 金本 哲男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997069255
Publication number (International publication number)：1998247621
Application date： Mar. 05, 1997
Publication date： Sep. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ウエハをレジスト処理システムの外部に取り出すことなくレジスト膜の膜厚を測定することにより,レジスト処理システムのレジスト膜形成条件の調整を容易にすると共に,クリーンルームの省スペース化,及びスループットの向上を図る。【解決手段】 加熱装置15で加熱処理が終了したウエハWは,搬送アーム3によって加熱装置15から搬出される。その際,ウエハWの搬出工程と同時に加熱装置15の搬入出口15aの上部に設けた膜厚測定装置18にてレジスト膜の膜厚を測定する。測定の結果に基づき,レジスト処理システムのレジスト膜形成条件を直ちに調整することができる。

Claim (excerpt)：

被処理基板を回転させながら基板上にレジスト液を塗布して当該基板上にレジスト膜を形成するレジスト塗布装置と,被処理基板を加熱する加熱装置と,被処理基板を保持して搬送する搬送装置とを備えたレジスト処理システムを用いて,被処理基板に対してレジスト処理を施す方法であって,被処理基板を所定の温度に設定する第1の工程と,所定の温度に設定された前記被処理基板を回転させながらレジスト液を基板上に塗布してレジスト膜を形成する第2の工程と,前記レジスト膜が形成された被処理基板を加熱する第3の工程と,前記加熱後の被処理基板を所定温度に冷却する第4の工程とを有するレジスト処理方法において,前記第3の工程と第4の工程との間に,被処理基板上のレジスト膜の膜厚を前記レジスト処理システム内において測定する工程を加入したことを特徴とする,レジスト処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/16

FI (3)：

H01L 21/30 564 C ,  G03F 7/16 ,  H01L 21/30 564 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-278021
  
• 特開平2-234417
  
• 特開昭63-042768