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J-GLOBAL ID：200903094813896290

マグネティック・ランダム・アクセス・メモリ

Inventor： 小野 裕司 ,  吉田 栄吉 ,  増本 敏昭
Applicant, Patent owner： 株式会社トーキン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000249452
Publication number (International publication number)：2002064189
Application date： Aug. 21, 2000
Publication date： Feb. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ノイズ発生が少なく、同時にノイズ耐性が高く、実質的に高速のデータ読み出し及び書き込みが可能な、大容量の不揮発性メモリを提供すること。【解決手段】 グラニュラー磁性薄膜などから成る高周波電流抑制体をマグネティック・ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)の内部構造として、あるいはモールド体の少なくとも一部に含ませる。

Claim (excerpt)：

磁性体の記憶素子と半導体素子によってメモリ・セルを構成するマグネティック・ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)において、その内部構造に高周波電流抑制体を付加して成ることを特徴とするメモリ。

IPC (6)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/00 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/18 ,  H01L 43/08

FI (6)：

G11C 11/15 ,  H01F 10/00 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/18 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

F-Term (12)：

5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA27 ,  5E049CB02 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA13 ,  5F083ZA23