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J-GLOBAL ID：200903094815971566

半導体発光素子

Inventor： 手塚 勉
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995238756
Publication number (International publication number)：1997083065
Application date： Sep. 18, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】キャリアの緩和を促進し、変調帯域を拡大し、高効率化を達成できる半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】量子ドット構造を有する活性層と、前記活性層と少なくとも一部で接触するように設けられた量子井戸層とを具備し、前記量子井戸層は間接遷移半導体材料で構成されており、前記量子井戸層における発光再結合を抑制することを特徴としている。また、上記活性層と上記量子井戸層との間にトンネルバリア層を設けてなることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

量子ドット構造を有する活性層と、前記活性層と少なくとも一部で接触するように設けられた量子井戸層とを具備し、前記量子井戸層は間接遷移半導体材料で構成されており、前記量子井戸層における発光再結合を抑制することを特徴とする半導体発光素子。