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J-GLOBAL ID：200903094817515185

パターン形成方法及び下層膜形成材料

Inventor： 畠山 潤
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (3)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002372829
Publication number (International publication number)：2004205685
Application date： Dec. 24, 2002
Publication date： Jul. 22, 2004
Summary：

【解決手段】反射防止膜としてナフトール誘導体とジシクロペンタジエンとの共縮合物を含むフォトレジスト下層膜を被加工基板上に適用し、該下層膜の上にフォトレジスト組成物の層を適用し、パターン回路領域に放射線を照射し、現像液で現像してレジストパターンを形成し、ドライエッチング装置でフォトレジスト層をマスクにして下層膜層及び被加工基板を加工することを特徴とするパターン形成方法。【効果】本発明の下層膜形成材料は、屈折率のn値が1.5〜1.9、k値が0.15〜0.3の範囲であり、200nm以上の膜厚で十分な反射防止効果を発揮できるだけの吸光係数であり、基板加工に用いられるCF4/CHF3ガス及びCl2/BCl3系ガスエッチングの速度もノボラック樹脂と同程度であり、高いエッチング耐性を有する。また、パターニング後のレジスト形状も良好である。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

反射防止膜としてナフトール誘導体とジシクロペンタジエンとの共縮合物を含むフォトレジスト下層膜を被加工基板上に適用し、該下層膜の上にフォトレジスト組成物の層を適用し、パターン回路領域に放射線を照射し、現像液で現像してレジストパターンを形成し、ドライエッチング装置でフォトレジスト層をマスクにして下層膜層及び被加工基板を加工することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3)：

G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

FI (4)：

G03F7/11 503 ,  G03F7/26 511 ,  H01L21/30 573 ,  H01L21/30 574

F-Term (28)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB32 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096CA06 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096EA23 ,  2H096GA08 ,  2H096HA23 ,  2H096HA24 ,  2H096KA06 ,  2H096KA18 ,  2H096KA19 ,  5F046NA01 ,  5F046PA07