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J-GLOBAL ID：200903094839053134

フェノール重合体の製造方法

Inventor： 山口 桂三郎 ,  浦上 達宣 ,  山口 彰宏
Applicant, Patent owner： 三井東圧化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1990404794
Publication number (International publication number)：1994100667
Application date： Dec. 21, 1990
Publication date： Apr. 12, 1994
Summary：

【要約】【構成】 フェノール化合物1.3〜15モルと下記式で表わされる芳香族ビスハロゲノメチル化合物1モルを反応温度50〜200°Cの範囲で無触媒で反応させて高純度のフェノール重合体を製造する。R-(CH2 X)2(Rはフェニレン基、アルキル置換フェニレン基、ビフェニレン基、二価のジフェニルエーテル残基またはナフチレン基を示し、Xはハロゲン原子を示す)【効果】 フリーデルクラフツ触媒を使用しないので重金属成分やイオン性不純物を全く含まない高純度のフェノール重合体が得られる。この重合体は電子材料分野における用途に極めて適したものである。

Claim (excerpt)：

一般式(I)R-(CH2 X)2 (I)(式中、Rはフェニレン基、アルキル置換フェニレン基、ビフェニレン基、二価のジフェニルエーテル残基、またはナフチレン基を示し、Xはハロゲン原子を示す)で表わされる芳香族ビスハロゲノメチル化合物とフェノール化合物を無触媒で反応させることを特徴とする高純度のフェノール重合体の製造方法。