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J-GLOBAL ID：200903094843906168

液晶表示装置とその製造方法

Inventor： 西川 龍司
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993214088
Publication number (International publication number)：1995064112
Application date： Aug. 30, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 正スタガー型のa-SiTFTを用いたアクティブマトリク液晶表示装置において、ITOよりなるソース・ドレイン配線のエッジ部をテーパー加工することにより、a-Siの膜欠陥を防止し、TFT特性の安定化を達成する。【構成】 ITO(11)膜上に、塩酸と塩化第2鉄の混合液よりなるエッチャントで、ITO(11)よりもエッチングレートの早いMo(20M)またはAl(20A)を積層し、Mo/ITOまたはAl/ITOのウエットエッチを行うことにより、ITO(11)膜をテーパー状にパターニングする。また、ITO(11)のスパッタリングの際に、条件設定を変えて、通常のITO膜上に、それよりもエッチングレートの早いITO膜を形成してウエットエッチを行うことにより、ITO膜をテーパー状にパターニングする。

Claim (excerpt)：

透明な絶縁性基板上にマトリクス状に設けられた表示電極と、前記表示電極の列間に設けられたドレインラインと、前記表示電極の行間に設けられたゲートラインと、前記ドレインラインと一体のドレイン電極、前記表示電極と一体のソース電極、前記ドレイン電極及び前記ソース電極を覆うa-Si層、前記ゲートラインと一体で、絶縁膜を介して前記a-Si層に対向して配置されたゲート電極より構成される薄膜トランジスタを有する液晶表示装置であって、前記ドレイン電極及び前記ソース電極はITOからなり、エッジ部の断面がテーパー状に形成されており、かつ、前記ドレイン電極と前記a-Si層の接続部分、及び、前記ソース電極と前記a-Si層との接続部分には、N+a-Si層が介在されていることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (4)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1335 ,  H01L 29/40 ,  H01L 29/786

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-100777
  
• 特開平2-008821
  
• 特開昭63-236365