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J-GLOBAL ID：200903094846844309
イオン注入装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991336627
Publication number (International publication number)：1993174778
Application date： Dec. 19, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】 イオンビーム内のイオン密度分布を均一化し、MOSトランジスタのゲート酸化膜等の静電破壊を緩和するイオン注入装置を得る。【構成】 アークチャンバ内へのドーパントガス導入口23,24を複数設けるとともに、有効フィラメント長に対し、短いアークチャンバスリット長を有するアークチャンバスリット25を取り付けることにより、プラズマ密度分布を平坦化し、この平坦なプラズマ密度分布部分をイオンビームとして利用することを特徴としている。
Claim (excerpt)：
アークチャンバ内にドーパントガスを導入し、前記アークチャンバ内に設けられたフィラメントに電流を流すことにより発生する熱電子に前記ドーパントガスが衝突することによりイオン化して、前記アークチャンバ内をプラズマ状態とし、このプラズマ中のイオンをアークチャンバスリットから引き出すイオン注入装置において、前記アークチャンバ内のドーパントガスを導入するドーパントガス導入口を複数設けるとともに、前記フィラメントの有効フィラメント長に対し、短いアークチャンバスリット長を有するアークチャンバスリット板を備えたことを特徴とするイオン注入装置。
IPC (4)：
H01J 37/317
, C23C 14/48
, H01J 37/08
, H01L 21/265
