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J-GLOBAL ID：200903094848352489

半導体レーザ

Inventor： 魚見 和久 ,  大石 昭夫 ,  岡 聡彦 ,  古森 正明 ,  土屋 朋信
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994025069
Publication number (International publication number)：1995235724
Application date： Feb. 23, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、低しきい電流(特に1mA以下)、かつ高いスロープ効率で発振する長波長帯半導体レーザを提供することにある。【構成】 本発明は、共振器長Lと前端面の反射率Rfを適切な値(80μm≦L≦150μmかつ75%≦Rf≦90%、あるいは80μm≦L≦130μmかつ75%≦Rf≦95%)に設定し、活性層幅、歪量子井戸層の井戸数、半導体基板の膜厚を適切に設定した長波長帯(波長1.25μm〜1.6μm)半導体レーザである。【効果】 加入者系光通信、光インタコネクト等のシステムに適用可能な低動作電流動作の長波長帯半導体レーザの実現に対して効果がある。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、少なくとも光を発生する活性層と光を閉じ込めるクラッド層と、発生した光からレーザ光を得るための共振器構造を有し、レーザ光の波長が1.25μm〜1.6μmの範囲である半導体レーザにおいて、上記共振器の長さをL、レーザ光の出射する前端面の反射率をRfとした時に、L、Rfが80μm≦L≦150μm、かつ75%≦Rf≦90%であることを特徴とする半導体レーザ。