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J-GLOBAL ID：200903094868159898
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
煤孫 耕郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993168606
Publication number (International publication number)：1995074240
Application date： Jun. 15, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：
【要約】【目的】 SOI基板を用いたフォトダイオードを形成する場合、光電流を効率良く得るために、絶縁膜の光反射効率を向上させて、光エネルギーの吸収量を高める。【構成】 SOI基板を用いてフォトダイオードを形成し、光エネルギーの吸収効率を高めるために、入射した光を高効率で反射し、再吸収させる。そのために入射光を反射する半導体装置底面の絶縁分離膜を異なる屈折率を持った材質を組み合わせて複合化することで、反射率を高める。
Claim (excerpt)：
単結晶シリコン基板と、前記単結晶シリコン基板の一表面上に設けられた複合絶縁膜と、前記複合絶縁膜上に設けられた単結晶シリコン層と、側面を接して設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜間を充填する多結晶シリコン層とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/762
, H01L 27/12
, H01L 31/10
H01L 21/76 D
, H01L 31/10 A
