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J-GLOBAL ID：200903094869108030

誘電体素子及びその製造方法

Inventor： 古川 浩章
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997191416
Publication number (International publication number)：1999040767
Application date： Jul. 16, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】 金属酸化物誘電体等を電荷蓄積層に,白金を電極に用いた従来の誘電体素子では,印加電圧の反転を繰り返すと,上記電荷蓄積層の分極率が低下し,特性が劣化するという欠点があった。【解決手段】 本発明は,電極3,5に例えばC60等のアモルファス状非晶質物質を用いることによって,分極率低下を長期間に渡って抑制することを図ったものである。

Claim (excerpt)：

誘電体薄膜にダングリングボンドが実質的にない非晶質物質を含む電極を接触させた構造を有する誘電体素子。

IPC (11)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C01B 31/02 101 ,  H01B 1/04 ,  H01B 1/16 ,  H01B 3/02 ,  H01G 4/10 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (8)：

H01L 27/10 651 ,  C01B 31/02 101 A ,  H01B 1/04 ,  H01B 1/16 A ,  H01B 3/02 Z ,  H01L 27/10 451 ,  H01G 4/10 ,  H01L 29/78 371