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J-GLOBAL ID：200903094870510411

高温耐久性高分子半導体

Inventor： 武部 憲親
Applicant, Patent owner： 大京電子電線株式会社
Agent (1)： 中谷 武嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992185824
Publication number (International publication number)：1994005405
Application date： Jun. 18, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】 耐熱性、耐水性、及び経年耐久力に優れた高温耐久性高分子半導体を提供する。【構成】 重合度が1700〜2600であるポリビニルクロライドを基剤とする。基剤に、導電キャリヤと耐熱性導電キャリヤと可塑剤と耐熱・耐水剤と耐熱安定剤と結合剤と酸化防止剤とを配合する。電子伝導性を必要とするときには、電子伝導性キャリヤを配合する。

Claim (excerpt)：

重合度が1700〜2600であるポリビニルクロライドからなる基剤に、過塩素酸リチウムとポリグリセリン脂肪酸エステルとの混合物からなる導電キャリヤと、酸化チタンに錫及びアンチモンをコーティングしてなる耐熱性導電キャリヤと、ジペンタエリスリトールエステルと塩素化パラフィンとの混合物からなる可塑剤と、無水珪酸アルミニウムからなる耐熱・耐水剤と、変性硫酸鉛と二塩基性亜リン酸鉛との混合物からなる耐熱安定剤と、シランカップリング剤からなる結合剤と、有機亜リン酸エステルからなる酸化防止剤と、を配合したことを特徴とする高温耐久性高分子半導体。

IPC (13)：

H01C 7/04 ,  C08K 3/24 ,  C08K 3/24 KGL ,  C08K 5/02 KGR ,  C08K 5/11 KGY ,  C08K 9/02 KJP ,  C08L 27/06 KGL ,  C08L 27/06 LFQ ,  H01B 1/12 ,  H01L 29/28 ,  H01L 37/00 ,  C08L 27/06 ,  C08L 91:00