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J-GLOBAL ID：200903094874383414

表面処理方法

Inventor： 横山 夏樹 ,  本間 喜夫 ,  西田 高 ,  恒川 助芳 ,  森崎 浩
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995210405
Publication number (International publication number)：1996111386
Application date： Jan. 29, 1986
Publication date： Apr. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、上記従来の問題を解決し、常温で液体または固体のソースを用いる場合において、良質な薄膜の堆積に必要な量のソース供給を可能とし、かつ、安定なソース供給を可能とする、化学気相成長法もしくは分子線エピタキシー法による、表面処理方法を提供することにある。【構成】 常温で液体または固体の所望の量のソースを反応室内に至るまで気化させることなく輸送し、反応室内に導入した後にはじめて気化させることを可能とする機構を具備した化学気相成長法もしくは分子エピタキシー法による表面処理方法により本発明の目的は達成できる。

Claim (excerpt)：

その表面に薄膜を形成するための被処理物を収容するための容器と、前記容器内に供給する固体状のソース物質の量を制御するための制御手段とを備えた表面処理装置を用い、前記制御手段を介して所要量の前記固体状のソース物質を前記容器内に導入し、前記容器内で前記固体状のソース物質を気化させて前記被処理物表面に薄膜を形成することを特徴とする表面処理方法。

IPC (6)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/48 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285