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J-GLOBAL ID：200903094878353501

パルスプラズマCVDによる成膜方法及びその装置

Inventor： 小林 伸一 ,  北中 隆司 ,  川下 安司
Applicant, Patent owner： 神港精機株式会社
Agent (1)： 田中 浩 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991340403
Publication number (International publication number)：1993148654
Application date： Nov. 28, 1991
Publication date： Jun. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】 常温で液体の反応ガスの気化状態を維持して効率よく解離させる。【構成】 排気された成膜室10に、ピエゾバルブ50、68、70、94の開閉によって間欠的に複数の反応ガスを導入し、成膜室10に間隔を隔てて設けた被処理物12と高周波電極14との間に、反応ガスの供給直後に電力を供給することによって、各反応ガスを解離させ、被処理物10に化学蒸着させる。反応ガスのうち常温において液体であるものを、恒温槽72で気化させて、導入管ベーキングヒータ96によって気化状態を維持しながら、成膜室10に供給し、この気化されたガスを供給するピエゾバルブ94から成膜室10までを、成膜室加熱ヒータ98によって室温よりも高い温度に昇温させ、成膜室10内でも気化状態を維持する。

Claim (excerpt)：

排気された成膜室に弁の開閉によって間欠的に複数の反応ガスを導入し、上記成膜室に間隔を隔てて設けた被処理物と電極との間に、上記反応ガスの供給直後に電力を供給することによって、上記反応ガスを解離させ、上記被処理物に化学蒸着させるパルスプラズマCVDによる成膜方法において、上記反応ガスのうち常温において液体であるものを、気化させてから上記成膜室に供給し、この気化されたガスを上記成膜室に供給する上記弁から上記成膜室までを室温よりも高い温度に昇温させることを特徴とするパルスプラズマCVDによる成膜方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-050472
  
• 特開昭59-072719
  
• 特開昭63-282274