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J-GLOBAL ID：200903094882984877

発光材料および発光素子

Inventor： 伴 雄三郎 ,  上野山 雄 ,  森 義弘 ,  高橋 康仁 ,  大仲 清司
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991245475
Publication number (International publication number)：1993082837
Application date： Sep. 25, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 直接遷移型へ変移可能な間接遷移型化合物半導体の超格子構造における光学的遷移の振動子強度を大きくして、発光強度を増加させる。また、それをデバイスへ応用して、短波長発光素子を提供する。【構成】 直接遷移型へ変移可能な間接遷移型化合物半導体の超格子構造が(111)面半導体基板上に形成されていることを特徴とする発光材料。また、ダブルヘテロ構造のクラッド層および活性層が共に直接遷移型へ変移可能な間接遷移型化合物半導体の超格子構造からなり、前記超格子構造が(111)面半導体基板上に形成され、かつ前記活性層における超格子構造の井戸層膜厚および障壁層の層厚が前記クラッド層における超格子構造の井戸層膜厚および障壁層の層厚とそれぞれ異なることを特徴とする発光素子。

Claim (excerpt)：

直接遷移型へ変移可能な間接遷移型化合物半導体の超格子構造が(111)面半導体基板上に形成されていることを特徴とする発光材料。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18