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J-GLOBAL ID：200903094897711699

酸化被膜付ガリウム及びそれを用いた化合物半導体単結晶の製造方法

Inventor： 稲田 知己 ,  和地 三千則 ,  柏 幹雄
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994013574
Publication number (International publication number)：1995215719
Application date： Feb. 07, 1994
Publication date： Aug. 15, 1995
Summary：

【要約】【目的】ガリウム金属とそれを梱包する梱包材との接触による汚染を可能な限り防ぎ、より高純度なガリウム金属を確保する。【構成】純度99.9999%以上のガリウム金属を酸化して、その表面に酸化被膜を形成する。膜厚は数原子層に相当する10A以上で変色しない厚さまでとする。その酸化被膜によりプラスチック梱包材との密着性を悪くすることにより、プラスチックに含まれている重金属汚染を防ぎ、一旦汚染されても酸化膜の剥離により、ガリウム金属の真の表面への汚染を防ぐようする。

Claim (excerpt)：

高純度のガリウム金属の表面に、10オングストローム(以下、オングストロームをAと略す)以上の厚さの酸化されたガリウム層をもつ酸化被膜付ガリウム。

IPC (4)：

C01G 15/00 ,  C30B 29/40 ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/316