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J-GLOBAL ID：200903094898556638

窒化タングステン膜の形成方法

Inventor： 中村 吉孝 ,  小林 伸好 ,  五嶋 秀和 ,  入江 亮太郎 ,  竹村 佳昭 ,  丸泉 琢也 ,  渡辺 一典 ,  臼井 建人 ,  三瀬 信行 ,  池川 正人 ,  牛尾 二郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993323696
Publication number (International publication number)：1995180058
Application date： Dec. 22, 1993
Publication date： Jul. 18, 1995
Summary：

【要約】【構成】 WF6と、ヒドラジン(N2H4)、モノメチルヒドラジン((CH3)HN2H2)、uns-ジメチルヒドラジン((CH3)2N2H2)、sym-ジメチルヒドラジン((CH3)HN2(CH3)H)、トリメチルヒドラジン((CH3)2N2(CH3)H)、テトラメチルヒドラジン((CH3)2N2(CH3)2)、エチルヒドラジン((C2H5)HN2H2)のうち少なくとも1つと、WF6とを用いて、熱CVD法により基板や金属膜上にWN膜を形成する。【効果】 下地である基板や金属膜に損傷をほとんど与えずに、WN膜を形成することができる。

Claim (excerpt)：

六フッ化タングステンと、窒素化合物とを用いて基体上に熱CVD法により窒化タングステン膜を形成する方法において、前記窒素化合物はヒドラジン、モノメチルヒドラジン、uns-ジメチルヒドラジン、sym-ジメチルヒドラジン、トリメチルヒドラジン、テトラメチルヒドラジン、エチルヒドラジンの少なくとも一つを含むことを特徴とする窒化タングステン膜の形成方法。

IPC (4)：

C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205