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J-GLOBAL ID：200903094901243271

窒化物半導体レーザ素子

Inventor： 小崎 徳也 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999279913
Publication number (International publication number)：2000236142
Application date： Sep. 30, 1999
Publication date： Aug. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 400nmより長波長領域において、良好で安定したレーザ発振をする窒化物半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 新規な素子構造として、光ガイド層がInGaN、クラッド層がGaN、コンタクト層がGaNからなるSCH構造、すなわちAlを使わない構造とする。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体において、活性層の両側に、光ガイド層、更にその両側にクラッド層、さらにその両側にコンタクト層が設けられたレーザ素子において、前記光ガイド層はIn<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0≦b<1)からなり、前記クラッド層はGaNからなり、前記コンタクト層はGaNからなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00 C

F-Term (24)：

5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA87 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA46 ,  5F073AA74 ,  5F073AA76 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB10 ,  5F073CB19 ,  5F073EA07 ,  5F073EA23