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J-GLOBAL ID：200903094908412400

核酸および他の生体活性分子を高等真核細胞の核に電流を用いて導入する回路装置

Inventor： ミュラー-ハルトマン、ヘルベルト ,  リーメン、グデュラ ,  ロスマン、カルステン ,  ティエル、コリーナ ,  アルトロゲ、ルジャー ,  ワイゲル、マイク ,  クリスチネ、ライネル ,  ロルバッハ、エルケ ,  ヘルフリッヒ、ユリアナ ,  ウェッセンドルフ、ハイク ,  シーベンコッテン、グレゴル
Applicant, Patent owner： アマクサ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Agent (1)： 平井 昭光
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002583643
Publication number (International publication number)：2004536584
Application date： Apr. 23, 2002
Publication date： Dec. 09, 2004
Summary：

本発明は、エレクトロトランスフェクションまたは電気融合のための新規な回路装置に関する。前記回路装置は、DNAおよび/または他の生体活性分子を高等真核細胞の核へ輸送されることを可能にし、あるいは細胞分裂から独立して、より低い細胞死亡率での細胞融合を可能にする。

Claim (excerpt)：

核酸、ペプチド、タンパク質および/または他の生体活性分子を真核細胞の細胞核に電流によって導入するため、または細胞、細胞誘導体、細胞内粒子および/または細胞内小胞を電流によって処理するための回路装置であって、 高電圧電源(5、6)それぞれによって供給される、電荷量のための少なくとも2つの記憶装置(7、8)と、 パワー半導体(9、10)を制御する少なくとも1つの制御装置と、 からなり、 前記高電圧電源(5、6)はそれぞれ、前記パワー半導体(9、10)を少なくとも1つ有し、 前記パワー半導体(9、10)は、前記記憶装置(7、8)に存在する電荷量をキュベット中の懸濁液に移し、 前記第1の記憶装置(7)には、パラメータとしてあらかじめ設定された電圧(U1)が印加され、 前記第2の記憶装置(8)には、電圧U2=R×I2×K2(式中、Rは前記キュベットおよびその中に含まれる懸濁液の抵抗であり、I2は所望の電流であり、K2は前記キュベットの特性を考慮に入れた補正値である。)が印加され、 1つの前記パワー半導体(9)を制御することによって、前記記憶装置(7)のキャパシタ電圧(U1)を伴う少なくとも1つの第1のパルスが、あらかじめ設定された時間(T1)にわたって前記キュベットに伝達可能である、回路装置。

IPC (3)：

C12N15/09 ,  C12M1/00 ,  C12M1/42

FI (3)：

C12N15/00 A ,  C12M1/00 A ,  C12M1/42

F-Term (10)：

4B024AA20 ,  4B024CA01 ,  4B024DA03 ,  4B024EA04 ,  4B024GA14 ,  4B029AA09 ,  4B029AA23 ,  4B029AA24 ,  4B029BB11 ,  4B029HA10