Pat

J-GLOBAL ID：200903094916499264

リフトオフ装置

Inventor： 末吉 正昭
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 岡田 和秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992022456
Publication number (International publication number)：1993217998
Application date： Feb. 07, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体基板の微細部分におけるレジストとレジスト剥離溶液との接触を確実なものとし、不要な金属の剥離速度を上げることによって生産性の向上を図ることができるリフトオフ装置を提供する。【構成】 本発明にかかるリフトオフ装置は、半導体基板Wが浸漬されるレジスト剥離溶液槽1と、このレジスト剥離溶液槽1を収納したうえで減圧される圧力容器2とを備えている。

Claim (excerpt)：

半導体基板(W)が浸漬されるレジスト剥離溶液槽(1)と、このレジスト剥離溶液槽(1)を収納したうえで減圧される圧力容器(2)とを備えていることを特徴とするリフトオフ装置。

IPC (4)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304