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J-GLOBAL ID：200903094925223980

半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよび光ファイバ増幅器

Inventor： 大木 泰 ,  築地 直樹 ,  吉田 順自
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002048679
Publication number (International publication number)：2003249718
Application date： Feb. 25, 2002
Publication date： Sep. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】 高出力の半導体レーザ装置を実現する。【解決手段】 基板1上に順次下部クラッド層2、下部SCH層3、量子井戸層4、上部SCH層5、第1の上部クラッド層6を積層する。第1の上部クラッド層6上には、ストライプ形状の第2の上部クラッド層8、電流ブロック層9が積層されている。さらに順次第3の上部クラッド層10、コンタクト層11が積層され、コンタクト層11上にp側電極12が配置され、基板1裏面にn側電極13が配置されている。電流ブロック層9は第2の上部クラッド層8と異なる導電型を有することで電流を狭窄し、電流ブロック層9を含む領域の実効屈折率が上部クラッド層8を含む領域の実行屈折率よりも低い値をとることで、水平方向の光閉じ込めをおこなう。第1の上部クラッド層6内部には回折格子7が配置され、複数の発振縦モードを有する光を選択する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に積層された下部クラッド層および上部クラッド層と、該二つのクラッド層間に積層された活性層とを備えた半導体レーザ装置であって、発振縦モードを選択する回折格子と、前記下部クラッド層および前記上部クラッド層の少なくとも一方の内部領域に配置され、電流を遮蔽する電流ブロック層と、該電流ブロック層に隣接して配置され、前記レーザ光の出射方向にストライプ形状を有し、電流を通過させる電流通過層と、を備え、前記電流ブロック層によって水平方向の光分布を制御することを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (7)：

H01S 5/12 ,  G02B 6/42 ,  H01S 3/10 ,  H04B 10/02 ,  H04B 10/16 ,  H04B 10/17 ,  H04B 10/28

FI (5)：

H01S 5/12 ,  G02B 6/42 ,  H01S 3/10 Z ,  H04B 9/00 J ,  H04B 9/00 W

F-Term (47)：

2H037AA01 ,  2H037BA03 ,  2H037CA13 ,  2H037DA03 ,  2H037DA04 ,  2H037DA05 ,  2H037DA06 ,  2H037DA15 ,  2H037DA36 ,  2H037DA38 ,  5F072AB07 ,  5F072AB09 ,  5F072AK06 ,  5F072KK30 ,  5F072PP07 ,  5F072QQ07 ,  5F072YY17 ,  5F073AA46 ,  5F073AA64 ,  5F073AA65 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AB06 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073BA03 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073EA01 ,  5F073EA28 ,  5F073FA02 ,  5F073FA25 ,  5F073GA12 ,  5K102AA56 ,  5K102AD01 ,  5K102MA03 ,  5K102MB06 ,  5K102MC17 ,  5K102MD01 ,  5K102MH04 ,  5K102MH12 ,  5K102MH22 ,  5K102PB01 ,  5K102PB17 ,  5K102PC03 ,  5K102PH14