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J-GLOBAL ID:200903094974455005
一酸化炭素センサ
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
井出 直孝 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999146708
Publication number (International publication number):2000338072
Application date: May. 26, 1999
Publication date: Dec. 08, 2000
Summary:
【要約】【目的】 酸化銅を主成分とするp型金属酸化物半導体を検出素子とする一酸化炭素センサの共存ガスに対する影響を排除し、一酸化炭素の選択性および安定性を向上する。【構成】 検出素子に被検出気体を導入する通路にNO,NO2 およびSO2 を吸収し一酸化炭素を通過するフィルタを配置する。
Claim (excerpt):
酸化銅を主成分とするp型金属酸化物半導体を検出素子とする一酸化炭素センサにおいて、前記検出素子に被検出気体を導入する通路にNO,NO2 ,およびSO2を吸収し一酸化炭素を通過するフィルタを配置したことを特徴とする一酸化炭素センサ。
F-Term (18):
2G046AA11
, 2G046BA01
, 2G046BB02
, 2G046BC04
, 2G046BC08
, 2G046BD04
, 2G046BD06
, 2G046BE03
, 2G046BF05
, 2G046BG01
, 2G046DB05
, 2G046DC14
, 2G046DC16
, 2G046DC17
, 2G046DC18
, 2G046EB01
, 2G046FB02
, 2G046FE11
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