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J-GLOBAL ID：200903094979341326

エピタキシャル結晶成長装置用励起セル装置

Inventor： 藤井 智 ,  藤田 恭久 ,  深沢 博之
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社 ,  日本真空技術株式会社
Agent (1)： 大島 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992070353
Publication number (International publication number)：1993234908
Application date： Feb. 20, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 エピタキシャル結晶成長装置の成長原料ガスまたはドーピングガスの励起が容易であり、かつ結晶成長条件に影響を及ぼすことがなく、更に構造の簡単な励起セル装置を提供する。【構成】 内部にガスが供給されるようになっていると共にラジカルの出口が設けられたケーシングと、このガスを光分解し、かつ励起可能なエネルギーの光をケーシング内部に供給する光源とを有する励起セル装置により、容易に成長原料ガスまたはドーパントガスを励起でき、かつそれ以外の不必要な物質を励起する心配もないことから結晶成長条件に悪影響を及ぼすこともない。

Claim (excerpt)：

基板の表面に、少なくともいずれか一方がガスからなる成長原料及びドーパントを供給することにより化合物半導体エピタキシャル結晶を成長させるエピタキシャル結晶成長装置にて前記成長原料及び前記ドーパントのいずれかのラジカルを発生させるための励起セル装置であって、内部に前記ガスが供給されるようになっていると共に前記ラジカルの出口が設けられたケーシングと、前記ガスを光分解し、かつ励起可能なエネルギーの光を前記ケーシング内部に供給する光源とを有することを特徴とする励起セル装置。

IPC (6)：

H01L 21/205 ,  C30B 23/08 ,  C30B 25/02 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-280323
  
• 特開昭62-214616
  
• 特開平3-196643
  
• 特開昭62-090924