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J-GLOBAL ID：200903094987839600
整流用半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991250531
Publication number (International publication number)：1993063184
Application date： Sep. 03, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 順方向特性のチャネルシリ-ズ抵抗を増加させることなく、逆方向特性における電子ポテンシアルを高く保持し、かつ、逆漏れ電流の電圧依存性をなくして、高効率、高速の整流用半導体装置を得ることを目的とする。【構成】 トレンチ溝を設けた一導電型半導体表面の凸部上面にショットキ接触面を形成し、凹部底部に逆導電型半導体を形成し、又、凸部側壁部に絶縁物層を形成するように構成し、前記逆導電型半導体とショットキ接触金属層を同電位に電気接続し、又、少なくとも零電圧バイアス時の二つの空乏層がつながらないように構成する。
Claim (excerpt)：
複数のトレンチ溝を設けた一導電型半導体表面の凸部上面にショットキ接触をする金属層を形成し、凹部底部に逆導電型半導体領域を形成した整流用半導体装置において、凸部側壁部に絶縁物層を形成し、かつ、逆導電型半導体領域と凸部上面の金属層を同電位に電気接続し、該金属層をアノ-ド、前記一導電型半導体をカソ-ドとした少なくとも零電圧バイアス時に、前記一導電型半導体側にのびる前記逆導電型半導体領域からの空乏層と前記凸部上面のショットキ接触からの空乏層がつながらないように構成したことを特徴とする整流用半導体装置。
IPC (2)：
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