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J-GLOBAL ID：200903095004826317

セラミツクス皮膜の形成方法

Inventor： 花形 晴雄 ,  鈴木 吏 ,  柳田 和夫 ,  五十嵐 英郷
Applicant, Patent owner： デイツプソール株式会社
Agent (1)： 中村 稔 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1990403241
Publication number (International publication number)：1993086485
Application date： Dec. 18, 1990
Publication date： Apr. 06, 1993
Summary：

【要約】〔目的〕 絶縁破壊電圧が高く、かつコイル等への巻き付け時の絶縁性にも優れたセラミックス皮膜を金属基体上に形成させる方法を提供する。〔構成〕 電解浴中でアルミニウム電線等の金属基体を陽極として通電し、火花放電により該金属基体上に2層のセラミックス皮膜を形成させる方法であって、ケイ酸塩及び/又は酸素酸塩を含有する第1の電解浴で火花放電により第1の皮膜を形成させた後、セラミックス微粉子を懸濁状態で含有する第2の電解浴で火花放電により第2の皮膜を形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

電解浴中で金属基体を陽極として通電し、火花放電により該金属基体上に2層のセラミックス皮膜を形成させる方法であって、ケイ酸塩及び/又は酸素酸塩を含有する第1の電解浴で火花放電により第1の皮膜を形成させた後、セラミックス微粉子を懸濁状態で含有する第2の電解浴で火花放電により第2の皮膜を形成することを特徴とする、金属基体表面に多層セラミックス皮膜を形成させる方法。