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J-GLOBAL ID：200903095009709424

半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置

Inventor： 尾田 倫一 ,  河田 達男 ,  幸島 博樹
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 若林 邦彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995118863
Publication number (International publication number)：1996311169
Application date： May. 18, 1995
Publication date： Nov. 26, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の封止樹脂とインサートとの間の剥離及びクラックの発生を抑制し、耐湿性に優れた封止用樹脂組成物を提供すること。【構成】 特定のビフェニル型エポキシ樹脂(A成分)及びテルペン型フェノール樹脂もしくはアラルキル型フェノール樹脂もしくはクレゾールノボラック型フェノール樹脂(B成分)、硬化促進剤(C成分)、無機質充填材(D成分)を必須成分とし、前記無機質充填材を樹脂組成物に対して、60〜95vol%含有してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。

Claim (excerpt)：

一般式(I)で示されるビフェニル型エポキシ樹脂(A成分)、下記一般式(II)で示される水酸基当量130〜180(g/eq)軟化点70〜130(°C)のテルペン骨格を有するフェノール樹脂及び一般式(III) で示されるアラルキル型フェノール樹脂及び一般式(IV)で示されるクレゾールノボラック型フェノール樹脂から選ばれる2種以上の硬化剤(B成分)、下記一般式(V)で示される硬化促進剤(C成分)、無機質充填材(D成分)を必須成分とし、前記無機質充填材を樹脂組成物に対して60〜95vol%含有してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【化1】(式中、R1 ,R2 ,R3 ,R4 は、H基、CH3 基もしくはC(CH3 )3 基を示し、nは0〜3の整数を示す。)【化2】(式中、mは0〜5の整数を示す。)【化3】(式中、lは0〜30の整数を示す。)【化4】(式中、kは0以上の整数を示す。)【化5】

IPC (6)：

C08G 59/62 NJS ,  C08G 59/40 NJL ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 NKT ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (5)：

C08G 59/62 NJS ,  C08G 59/40 NJL ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 NKT ,  H01L 23/30 R