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J-GLOBAL ID：200903095011694442

半導体製造用サセプタ及びその製造方法

Inventor： 三上 一彦 ,  会田 比呂史 ,  北澤 謙治
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993299369
Publication number (International publication number)：1995153821
Application date： Nov. 30, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【構成】金属またはセラミックからなる基体2上に窒化アルミニウム膜3を気相法などによりコーティングした後に、窒化アルミニウム膜3を加工し溝4を形成して半導体製造用サセプタ1を得る。【効果】溝の加工精度が高く、さらに表面平坦性に優れることからシリコンウエハの吸着力が強くなるとともにより安価に高品質のものが得られる。

Claim (excerpt)：

金属またはセラミックからなる基体上に、溝加工が施された窒化アルミニウム膜が形成されてなる半導体製造用サセプタ。

IPC (3)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065