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J-GLOBAL ID：200903095020916776

半導体装置

Inventor： 長嶋 隆 ,  原田 秀樹
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  株式会社九州富士通エレクトロニクス
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992257941
Publication number (International publication number)：1994112191
Application date： Sep. 28, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の導電層の間の層間絶縁膜或いは導電層の表面の平坦化膜の改良に関し、テンシルストレスが大きくならず、配線層にダメージを与えない層間絶縁膜或いは平坦化膜を具備する半導体装置の提供を目的とする。【構成】 導電層の間の層間絶縁膜或いは導電層の表面の平坦化膜として、酸素含有率が30パーセント以上の雰囲気中で焼成した、骨格中にシラザン結合を有するシリコン化合物材料からなる、コンプレッシブな膜ストレスを有する絶縁膜を具備するように構成する。

Claim (excerpt)：

導電層の間の層間絶縁膜或いは導電層の表面の平坦化膜として、酸素含有率が30パーセント以上の雰囲気中で焼成した、骨格中にシラザン結合を有するシリコン化合物材料からなる、コンプレッシブな膜ストレスを有する絶縁膜を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90