Pat
J-GLOBAL ID：200903095043090450
GaN系化合物半導体結晶の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001078246
Publication number (International publication number)：2002274997
Application date： Mar. 19, 2001
Publication date： Sep. 25, 2002
Summary：
【要約】【課題】 GaN系化合物半導体結晶と比較的よく格子整合する希土類13(3B)族ペロブスカイト基板を用いることにより、結晶欠陥が少ないGaN系化合物半導体単結晶を歩留まりよく製造可能な方法を提供する。【解決手段】 1または2種類以上の希土類元素を含む希土類13(3B)族ペロブスカイト結晶を基板としてGaN系化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記希土類13(3B)族ペロブスカイト結晶基板の(011)面から1°から4°だけオフアングルさせた面を成長面とするようにした。
Claim (excerpt)：
1または2種類以上の希土類元素を含む希土類13(3B)族ペロブスカイト結晶を基板としてGaN系化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記希土類13(3B)族ペロブスカイト結晶基板の(011)面から1°から4°だけオフアングルさせた面を成長面とすることを特徴とするGaN系化合物半導体結晶の製造方法。
F-Term (7)：
4G077AA03
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077TK01
, 4G077TK06
Cited by applicant (1)
-
窒化ガリウム系半導体結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-328221
Applicant：株式会社ジャパンエナジー
Cited by examiner (1)
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窒化ガリウム系半導体結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-328221
Applicant：株式会社ジャパンエナジー
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