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J-GLOBAL ID：200903095051129675

微小構造体、マイクロマシンおよび半導体装置、ならびに微小構造体およびマイクロマシンの作製方法

Inventor：
山口 真弓

About 山口 真弓

, 
泉 小波

About 泉 小波


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Agent (1)： 渡邉 順之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007131665
Publication number (International publication number)：2007331095
Application date： May. 17, 2007
Publication date： Dec. 27, 2007
Summary：
【課題】犠牲層エッチングを行わずに微小構造体及びマイクロマシンを作製する。【解決手段】基板101上に剥離層102を形成し、剥離層102上に可動電極となる層103を形成する。剥離層102を境界に、可動電極となる層103を基板から剥離する。別の基板105に固定電極となる層106を形成する。可動電極となる層103と固定電極となる層106が向かい合うように、部分的に設けられたスペーサ層103を挟んで、可動電極となる層103を基板105に固定する。これにより、犠牲層エッチングを行わずに、層103と層106の間に空間部分109が形成される。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第1の仮基板上に剥離層を形成し、 前記剥離層上に第1の層を形成し、 前記第1の層を、前記剥離層の一部が露出するように加工し、 前記第1の層上に、接着層を介して第2の仮基板を貼り合わせ、 前記第1の層を、前記第1の仮基板から前記第2の仮基板へ移し、 第1の本基板に、選択的にスペーサ層を形成し、 前記第1の層と前記第1の本基板とを、前記スペーサ層を挟んで向かい合うように接着し、 前記第2の仮基板と前記第1の層とを分離させることを特徴とする微小構造体の作製方法。
IPC (5)：
B81C 3/00 ,  B81B 3/00 ,  G02B 26/08 ,  H01H 59/00 ,  H01H 49/00
FI (5)：
B81C3/00 ,  B81B3/00 ,  G02B26/08 E ,  H01H59/00 ,  H01H49/00 L
F-Term (28)：
2H141MA02 ,  2H141MA12 ,  2H141MB22 ,  2H141MB23 ,  2H141MB29 ,  2H141MB56 ,  2H141MC06 ,  2H141MC09 ,  2H141MD04 ,  2H141MD12 ,  2H141MD20 ,  2H141MF26 ,  2H141MZ03 ,  2H141MZ06 ,  2H141MZ22 ,  2H141MZ24 ,  2H141MZ28 ,  3C081AA00 ,  3C081AA20 ,  3C081BA33 ,  3C081BA44 ,  3C081BA46 ,  3C081BA48 ,  3C081BA53 ,  3C081CA05 ,  3C081CA32 ,  3C081EA11 ,  3C081EA23
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特許第3590283号公報
Cited by examiner (7)
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