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J-GLOBAL ID：200903095055205090

成膜装置及び成膜方法

Inventor： 柏谷 誠 ,  中田 純司
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 萩野 平 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995267136
Publication number (International publication number)：1997111458
Application date： Oct. 16, 1995
Publication date： Apr. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 保護膜を高速かつ均一に連続成膜する。【解決手段】 真空反応チャンバー11、プラズマ発生装置14、プラズマ導入部15、プラズマ反射部20、反応ガス導入部28、基板支持手段の送り出し部22、巻き取り部23及び成膜ドラム24、基板バイアス電源25を備え、プラズマ発生装置14と真空反応チャンバー11の間に配設されるプラズマ導入部15に、プラズマ発生装置内で使用する放電ガスを該プラズマ導入部15から排気する排気手段40が設けられることにより、放電ガスによるプラズマの電子エネルギーの損失を回避する方法並びに装置。

Claim (excerpt)：

基板上に薄膜を形成可能な真空反応チャンバー、プラズマを発生するためのプラズマ発生手段、発生したプラズマを前記真空反応チャンバー内に導くためのプラズマ導入手段、前記プラズマ発生手段に対向するように設けられたプラズマ反射手段、反応ガスを前記真空反応チャンバー内に導くための反応ガス導入手段、前記基板を走行可能に支持する基板支持手段、前記基板にバイアス電圧を印加する基板バイアス印加手段を備えた成膜装置であって、前記プラズマ発生手段と前記真空反応チャンバーとの間に配設される前記プラズマ導入手段には、前記プラズマ発生手段内で使用する放電ガスを該プラズマ導入手段から排気する排気手段が設けられたことを特徴とすることを特徴とする成膜装置。

IPC (4)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/54 ,  C30B 29/04

FI (4)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/54 ,  C30B 29/04 B