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J-GLOBAL ID：200903095060505574

磁気抵抗効果素子の製造方法

Inventor： 清水 栄二
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 綿貫 隆夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999072116
Publication number (International publication number)：2000269568
Application date： Mar. 17, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 所要の特性を有する磁気抵抗効果素子を得る方法を提供する。【解決手段】 複数の真空チャンバー10、12を連結したスパッタ装置を使用し、真空チャンバー間で基板を搬送すると共に、真空チャンバー内で基板上に所要の磁性膜及び非磁性膜等の成膜層を順次成膜して積層することにより磁気抵抗効果素子を製造する方法において、一の真空チャンバー10内で成膜した後、次の真空チャンバー12に基板を真空搬送して当該真空チャンバー12内で成膜する際に、表面の成膜層に逆スパッタを施した後、さらに成膜する。

Claim (excerpt)：

真空チャンバー内に磁性膜および非磁性膜等の所要の成膜層を形成するためのターゲットを複数設置したスパッタ装置を使用し、基板上に磁性膜及び非磁性膜等の成膜層を順次成膜して積層することにより磁気抵抗効果素子を製造する方法において、前記ターゲットを切り替えて成膜する際に、ターゲットの切替え時を含め真空チャンバー内でスパッタガスを常時フローさせて成膜することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 43/12 ,  C23C 14/34 ,  G11B 5/39

FI (3)：

H01L 43/12 ,  C23C 14/34 V ,  G11B 5/39

F-Term (16)：

4K029BA08 ,  4K029BA16 ,  4K029BA21 ,  4K029BA24 ,  4K029BA25 ,  4K029BB02 ,  4K029BC05 ,  4K029BC06 ,  4K029BD04 ,  4K029CA05 ,  4K029DC16 ,  4K029GA02 ,  4K029KA01 ,  5D034BA02 ,  5D034DA04 ,  5D034DA07