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J-GLOBAL ID：200903095063977175
処理装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993296288
Publication number (International publication number)：1995147247
Application date： Nov. 26, 1993
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：
【要約】【目的】 高耐電気絶縁性、高耐腐食性、高真空性(高真空脱ガス特性)を持つ非常に安定した特性を有する被膜を施し、真空処理容器内にパーティクルフリー、コンタミネーションフリーな非常にクリーンな環境を得て信頼性の高い能率的な処理の実現に有効となる処理装置を提供することにある。【構成】 半導体ウエハWのプラズマエッチング処理装置の真空処理容器1内面と、支持台2の多重構造部材3,4,5,6の各々の外周面及び相互の接合面と、静電チャック8の被処理体吸着面を除いた周面と、処理ガスを導入する上部電極42内面と、排気管45内面と、被処理体搬入出口47及びゲートバルブ48内面とに、高分子ポリベンゾイミダゾール樹脂皮膜55を設けたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
真空処理容器内に被処理体を収納保持すると共に、処理ガスを導入して該被処理体を処理する処理装置において、前記処理容器の内面に、高分子ポリベンゾイミダゾール樹脂被膜を設けたことを特徴とする処理装置。
IPC (2)：
H01L 21/205
, H01L 21/3065
