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J-GLOBAL ID：200903095067274896

縦型拡散・CVD装置のガス給排方法及びその装置

Inventor： 柳川 秀宏 ,  平野 光浩 ,  島田 真一 ,  谷山 智志 ,  西内 弘幸 ,  二階堂 和己 ,  久島 義一 ,  佐藤 道夫
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社
Agent (1)： 三好 祥二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993027465
Publication number (International publication number)：1994177060
Application date： Jan. 22, 1993
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】複数の隣接する気密室を有する縦型拡散・CVD装置に於いて、閉塞手段を開放した場合の隣接する一方の気密室と他方の気密室との圧力差に起因するガスの急激な流動を抑制し、発塵を防止する。【構成】複数の気密室3を連通遮断可能な閉塞手段2を介して連設し、気密室の少なくとも1つを処理室とし、隣接する気密室の一方を置換ガスで置換4した後、隣接する気密室の他方に置換ガスを供給6し、前記隣接する2つの気密室の圧力差又は圧力が所定値以下となった時に、前記隣接する2つの気密室を連通して、該2つの気密室の均圧を行う。

Claim (excerpt)：

反応室と、ロードロック室と、反応室とロードロック室とを連通遮断する閉塞手段とを有する半導体製造装置のガス給排方法に於いて、反応室、ロードロック室のいずれか一方を窒素ガス等の不活性ガスで置換した後、反応室、ロードロック室のいずれか他方に置換ガスを供給し、反応室とロードロック室の圧力差が所定値以下となった時に、反応室とロードロック室とを連通して均圧させ、均圧後前記閉塞手段を開放することを特徴とする半導体製造装置のガス給排方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭64-050414
  
• 特開昭53-039842
  
• 特開平1-125821
  
• 特開平2-047828