静電破壊保護トランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992309479
Publication number (International publication number)：1994140583
Application date： Oct. 23, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】静電気などが生じたとしても、その静電気による過電流を有効にグラウンドへ逃がし、主回路を有効に保護し、しかも保護トランジスタ自体が破壊されることを防止した破壊耐性に優れた静電破壊保護トランジスタを提供すること。【構成】半導体基板32の表面に、ゲート絶縁膜38を介してゲート電極36がリング状に配置してある。ゲート電極36の内周側および外周側の半導体基板の表面には、それぞれ略同芯円状に不純物拡散領域40,42が形成してある。上層側入力配線層48には第1コンタクトプラグ50を介して入力側電極層44を接続し、入力側電極層44と内周側不純物拡散領域40とは第2コンタクトプラグ52で接続する。外周側不純物拡散層42には、第3コンタクトプラグ54を介して出力側電極層46を接続する。入力配線からの過電流は、放射方向にグラウンドへ逃がされる。

Claim (excerpt)：

パッド部から主回路へ向かう入力配線の途中に設けられ、パッド部から入力される静電気などによる過電流を主回路へ向かわせることなくグラウンドへ逃がす静電破壊保護トランジスタであって、半導体基板の表面に、ゲート絶縁膜を介してリング状に配置されたゲート電極と、このゲート電極の内周側および外周側の半導体基板の表面にそれぞれ略同芯円状に形成してある不純物拡散領域と、上記入力配線を構成する上層側入力配線層に第1コンタクトプラグを介して接続してある入力側電極層と、この入力側電極層と内周側不純物拡散領域とを接続する第2コンタクトプラグと、外周側不純物拡散層に対して第3コンタクトプラグを介して接続してある出力側電極層とを有し、入力配線からの過電流が、第1コンタクトプラグ、入力側電極層、第1コンタクトプラグ、内周側不純物拡散層、ゲート電極下のチャネル領域、外周側不純物拡散領域、第2コンタクトプラグおよび出力側電極層を通して放射方向に逃がされるように配置したことを特徴とする円形放射型の静電破壊保護トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 27/06 , H01L 29/784

FI (2)：

H01L 27/06 311 C , H01L 29/78 301 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-291470
特開平4-010474
特開平2-210864

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