Pat
J-GLOBAL ID：200903095080377440

イオン注入方法および素子分離領域の形成方法

Inventor：
荒井 千広

About 荒井 千広


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994087796
Publication number (International publication number)：1995273186
Application date： Mar. 31, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、高ドーズ量でのイオン注入後のマスク除去によるシリコン基板汚染の防止、イオン注入時起因の結晶欠陥を低減してトランジスタ耐圧の確保、信頼性の向上を図る。【構成】 シリコン基板11上に形成した酸化シリコン膜12をパターニングしてマスク13を形成し、それを用いてイオン注入を行うことでシリコン基板11に不純物14を導入する。また図示はしないが、シリコン基板の上層を除去した部分に酸化シリコン膜を形成し、それを通してシリコン基板に不純物を導入するとで素子分離拡散層を形成する。またシリコン基板上に形成した酸化防止膜と酸化シリコン膜とをマスクに用いたイオン注入法によって、酸化シリコン膜のみの部分から不純物を導入してシリコン基板に低濃度拡散層を形成し、酸化防止膜のみの部分からシリコン基板に不純物を導入して高濃度拡散層を形成する。
Claim (excerpt)：
シリコン基板上に酸化シリコン膜を形成した後、リソグラフィー技術とエッチングとによって該酸化シリコン膜をパターニングしてマスクを形成する第1工程と、前記マスクを用いたイオン注入法によって前記シリコン基板に不純物を導入する第2工程とからなることを特徴とするイオン注入方法。
IPC (3)：
H01L 21/76 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/265
FI (3)：
H01L 21/76 R ,  H01L 21/265 M ,  H01L 21/265 F
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
  • 特開昭57-010262
  • 特開昭57-010262
  • 特開昭57-010262
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM