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J-GLOBAL ID:200903095080725333
プラズマ処理方法及び装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
間宮 武雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995174446
Publication number (International publication number):1997008011
Application date: Jun. 15, 1995
Publication date: Jan. 10, 1997
Summary:
【要約】【目的】 基板の裏面側の汚染を防止し、基板面におけるプラズマダメージ分布や温度分布のばらつきを無くする。【構成】 処理チャンバ10の内部に配置された基板Wを熱板26によって予備加熱する際に、基板Wの裏面と熱板26の上面とを近接させて基板支持部材40によって基板Wを点接触又は線接触により支持する。予備加熱後のアッシング処理の際に、基板Wと熱板26とを離間させて基板支持部材40によって基板Wを点接触又は線接触により支持する。
Claim (excerpt):
処理チャンバ内に収納された基板を加熱手段によって加熱した後、プラズマを発生させて基板に所定の処理を行なうプラズマ処理方法であって、基板と前記加熱手段とを近接させた状態で基板支持手段によって基板を点接触又は線接触で支持しつつ、基板を前記加熱手段によって加熱し、基板と前記加熱手段とを離間させた状態で前記基板支持手段によって基板を点接触又は線接触で支持しつつ、プラズマを発生させて基板に所定の処理を行なうことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (3):
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H05H 1/46
FI (5):
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
, H05H 1/46 A
, H05H 1/46 L
, H01L 21/302 H
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