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J-GLOBAL ID：200903095097371470

半導体レーザ

Inventor： 浜田 弘喜
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 丸山 敏之 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992128347
Publication number (International publication number)：1994085378
Application date： May. 21, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 レーザ素子の直列抵抗の増大を招くことなく、レーザ素子の接合面に平行な面上でのビームの広がり角θを拡大することが可能な半導体レーザを提供する。【構成】 n-GaAs基板1上に、n-AlGaInPクラッド層3、AlGaInP活性層4、及びストライプ状のリッジ部10を有するp-AlGaInPクラッド層5が形成されると共に、前記リッジ部10上にはp-GaInPコンタクト層6が形成された半導体レーザであって、前記コンタクト層6のみにp形ドーパントとしてMgが用いられている。

Claim (excerpt)：

n形半導体基板(1)上に、n形クラッド層(3)、活性層(4)、及びストライプ状のリッジ部(10)を有するp形AlGaInPクラッド層(5)が形成されると共に、前記リッジ部(10)上にはp形GaInPコンタクト層(6)が形成された半導体レーザにおいて、前記コンタクト層(6)には、前記クラッド層(5)のp形ドーパントよりも拡散係数の大なるp形ドーパントが用いられていることを特徴とする半導体レーザ。