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J-GLOBAL ID：200903095106601344

半導体装置の製造方法

Inventor： 鈴木 達也
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 鈴木 章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994027481
Publication number (International publication number)：1995221034
Application date： Jan. 31, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 一般的な拡散炉を用いて自然酸化膜を除去しながらHSGポリシリコン膜やリンドープトポリシリコン膜の形成を可能とする。【構成】 自然酸化膜が除去されたシリコン基板100を炉に入れて熱処理し、リンドープトアモルファスシリコン膜105の表面にHSGポリシリコン膜を形成する際、超高純度N2 ガスで希釈されたHClガスを導入し、リンドープアモルファスシリコン膜105表面の再自然酸化膜をシリコンと共にエッチング除去し、高清浄なシリコン面を得る。これにより、HSGポリシリコン膜107、絶縁膜108、リンドープトシリコン膜109で構成される容量電極の容量増加率を高める。或いは、コンタクトホールに埋め込むリンドープトポリシリコン膜のコンタクト抵抗を低減する。

Claim (excerpt)：

炉内に載置されたシリコン膜を高温下で処理するに際し、シリコン膜の加熱時に超高純度N2 ガスで希釈されたHClガスを炉内に導入し、前記シリコン膜の表面上の自然酸化膜を除去し、かつそのシリコン膜の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/302 P ,  H01L 21/302 N