Pat
J-GLOBAL ID：200903095119680413
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991193785
Publication number (International publication number)：1993036987
Application date： Aug. 02, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法に関し、ソース線とビット線となる拡散層を小さくすることができ、ソース線とビット線となる拡散層間距離を小さくすることができ、セルサイズを容易に小さくすることができる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 ソース線とビット線が略平行に配置され、かつ、該ソース線と該ビット線がワード線と略直交に配置されてなる不揮発性半導体記憶装置において、該ソース線と該ビット線が基板1内に形成された拡散層10、11と該拡散層10、11上に形成された不純物含有導電性層6とからなるように構成する。
Claim (excerpt)：
ソース線とビット線が略平行に配置され、かつ、該ソース線と該ビット線がワード線と略直交に配置されてなる不揮発性半導体記憶装置において、該ソース線と該ビット線が基板(1)内に形成された拡散層(10、11)と該拡散層(10、11)上に形成された不純物含有導電性層(6)とからなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
