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J-GLOBAL ID：200903095132331738

電界効果トランジスタ

Inventor： 丸橋 建一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995168336
Publication number (International publication number)：1996340011
Application date： Jun. 09, 1995
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：

【要約】【目的】複数の単位電界効果トランジスタに分割した櫛形構造を有する電界効果トランジスタにおいて寄生容量を低減する。【構成】ゲート電極1と、ドレイン電極2と、ソース電極3とを有する複数の単位電界効果トランジスタが該ゲート電極の長手方向に対し垂直に配置されており、ゲート電極パッドとドレイン電極パッドの対向している部分において、ゲート電極パッドノッチ部7とドレイン電極パッドノッチ部8と、この部分に露出する基板表面にくぼみ9を設ける。【効果】ゲート抵抗を増大することなくゲート-ドレイン電極間寄生容量を低減する。

Claim (excerpt)：

ドレイン電極と、ソース電極と、ゲート電極とを有する複数の単位電界効果トランジスタが該ゲート電極に対して並設され、ゲート電極パッドとドレイン電極パッドとが互いに対向する端部においてノッチ部をそれぞれ有することを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-096965
  
• 特開平4-125941
  
• 特開平2-054540
  
• 特開平4-343440