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J-GLOBAL ID：200903095133139938

半導体集積回路装置

Inventor： 小山田 文男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 大日方 富雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997182083
Publication number (International publication number)：1999027128
Application date： Jul. 08, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 システムに搭載して実際に稼動させながら、半導体集積回路装置の特性の劣化を評価することができ、それによってシステム全体の稼動停止を未然に防ぐことができるようにされた半導体集積器回路装置を提供する。【解決手段】 実際にシステムに搭載される集積回路装置内に、本来の処理を行うための回路6とともに、特性劣化の評価を行うための素子4を備えた評価用の回路を形成しておき、実際の稼動中にその評価用の回路を用いて、例えばホットキャリアによるトランジスタのしきい値電圧Vthの変化量(または、エレクトロマイグレーションによるアルミニウム配線の抵抗増加及び断線の可能性)を検出し、動作不良が起こる危険性の高い半導体集積回路装置に対して故障発生に至る前に交換等の処置を行うことにより、システム全体の稼動停止を未然に防ぐようにしたものである。

Claim (excerpt)：

入力端子及び出力端子を備え、かつ通常動作時に駆動される回路部と、通常動作時に前記回路部内の所定の素子への入力信号が分岐されて入力される評価用素子と、特性評価時に測定用信号を受け取って前記評価用素子へ入力させる測定信号入力端子と、前記評価用素子の出力信号を出力する測定信号出力端子とを具備することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4)：

H03K 19/00 ,  G01R 31/26 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/82

FI (4)：

H03K 19/00 B ,  G01R 31/26 G ,  G01R 31/28 V ,  H01L 21/82 A