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J-GLOBAL ID:200903095135679328

低温焼成でシリカコート膜を形成し得るアルコール性シリカゾルの製法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 水野 喜夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991276395
Publication number (International publication number):1993085714
Application date: Sep. 30, 1991
Publication date: Apr. 06, 1993
Summary:
【要約】【目的】 CRTフェース面などのノングレア処理技術としてシリカコート法が注目されているが、、特性に優れたノングレア被膜を形成するにはベーキング条件として高温(150〜200°C)で長時間の焼成条件が必要である。本発明は従来と比較して格段に低い温度(室温〜100°C)で焼成でき、かつ特性に優れたノングレア被膜を形成することができるシリカコート法ノングレア処理液を提供する。【構成】 一般式 Si(OR)4 ......(1) (但しRはメチル基またはエチル基)で表わされる低級アルキルシリケートを、メタノール及び/エタノール中で所望量の水と触媒のもとで加水分解することを特徴とする低温焼成でシリカコート膜を形成し得るアルコール性シリカゾルの製法。
Claim (excerpt):
一般式 Si(OR)4 ......(1)(但し、Rはメチル基またはエチル基を示す。)で表わされる低級アルキルシリケートをメタノール及び/又はエタノール中で加水分解することを特徴とする低温焼成でシリカコート膜を形成し得るアルコール性シリカゾルの製法。
IPC (2):
C01B 33/12 ,  H01J 9/20

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