集積回路装置用バンプ電極の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1990407103
Publication number (International publication number)：1993259169
Application date： Dec. 27, 1990
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】集積回路装置のフリップチップのバンプ電極と接続すべき内部配線用のアルミ膜に対する焼鈍等の高温処理工程中にその表面に異常な小突起ないしヒロックが発生しないようにする。【構成】アルミ膜に対してその配線パターンへのフォトエッチング前に金属薄膜の被覆を施し、かつフォトエッチング後に絶縁膜の被覆を施した上でアルミに対する焼鈍を行なうことによりヒロックの発生を防止する。

Claim (excerpt)：

集積回路装置のチップの表面を覆う保護膜の開口部に配線用のアルミ膜に接続するバンプ電極を異なる金属からなる複層構成の下地膜を介してウエハ状態で作り込む方法であって、ウエハ上に全面被着されたアルミ膜を下側下地膜に適する金属の薄膜で被覆する工程と、この金属薄膜で被覆された状態のアルミ膜を配線用パターンにフォトエッチングする工程と、このパターンニング済みアルミ膜を保護膜の下側膜に適する絶縁膜で被覆する工程と、この絶縁膜で被覆された状態でアルミ膜を焼鈍する工程とを経由した上で、保護膜を被覆するようにしたことを特徴とする集積回路装置用バンプ電極の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/321 , H01L 21/28 , H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/92 F , H01L 21/88 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平1-297843
特開平2-001926
特開平2-001927

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