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J-GLOBAL ID：200903095146127882

LSIの異常発光箇所特定方法およびその装置

Inventor： 加藤 正次 ,  小藪 國広
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997170353
Publication number (International publication number)：1999016974
Application date： Jun. 26, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】 LSIからの異常発光のみを検出して一意的に異常発光箇所を認識することを可能とする。【解決手段】 暗箱100内に設けたエミッション顕微鏡装置によりサンプル106のパターン像を撮像し画像メモリ15aに記憶し、LSIテスタ108によりサンプルを不良動作状態にセットして不良動作発光像を撮像し画像メモリ15bに記憶する。さらにサンプルを良品動作状態となるようにセットして良品動作発光像を撮像し画像メモリ15cに記憶する。差像処理手段11にメモリ15bと15cの発光象を取り込み、両発生像間の発光差像を画像メモリ15dに記憶する。重ね合わせ処理手段12によって、メモリ15aのパターン像とメモリ15dの発光差像との重ね合わせ処理行い、表示画面に表示して異常発光箇所を一意的に特定する。

Claim (excerpt)：

暗箱内においてエミッション顕微鏡によりLSI試料のパターン像を撮像して画像表示装置に表示し、該パターン像を画像メモリに記憶させ、試料駆動源を作動させて前記試料を不良動作状態にセットし、該不良動作状態の試料から発生する発光像を検出器によって撮像して、前記画像表示装置に表示し、前記不良動作発光像を画像メモリに記憶させ、試料駆動源を作動させて、前記試料を良品動作状態にセットし、該良品動作状態の試料からの発光像を前記検出器によって撮像して、前記画像表示装置に表示し、該良品動作発光像を画像メモリに記憶させ、前記画像メモリに記憶された、前記不良動作発光像と前記良品動作発光像とを、差像処理手段に取り込み、前記不良動作発光像と前記良品動作発光像との発光差像を前記画像表示装置に表示し、該発光差像を画像メモリに記憶させ、重ね合わせ処理手段により、前記画像メモリに記憶された前記パターン像と前記発光差像とを重ね合わせ、該重ね合わせ像を前記画像表示装置に表示することにより前記試料の異常発光箇所を特定する、LSIの異常発光箇所特定方法。

IPC (6)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/62 ,  G01N 21/88 ,  G01R 31/26 ,  G01R 31/302 ,  G06T 1/00

FI (7)：

H01L 21/66 Z ,  H01L 21/66 J ,  G01N 21/62 Z ,  G01N 21/88 E ,  G01R 31/26 G ,  G01R 31/28 L ,  G06F 15/64 D